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| 规格书 |
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| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 系列 | IPB042N10 |
| RDS（ON） | 4.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 214 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PG-TO263-3 |
| 栅极电荷Qg | 88 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 零件号别名 | IPB042N10N3GE8187ATMA1 SP000939332 |
| 上升时间 | 59 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| 宽度 | 9.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 117 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 73 S |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 4.4 mm |
| 典型导通延迟时间 | 27 ns |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| 技术 | Si |
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